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JSM40N20P
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
- 描述
- 适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM40N20P
- 商品编号
- C7498954
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 专有新型平面技术
- RDS(ON),典型值 = 50mΩ(VGS = 10V 时)
- 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- DC - DC 转换器
- 用于 UPS 的 DC - AC 逆变器
- 开关电源和电机控制
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