温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JSM4N50C
1个N沟道 耐压:550V 电流:4A
- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM4N50C
- 商品编号
- C7498977
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
WMOST™ EM是第三代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOST™ EM适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 4.0A、550V,RDS(on)(典型值)= 2.2Ω @ VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正