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CMSA120P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- CMSA120P03采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA120P03
- 商品编号
- C7470631
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SRFET™ 90N03S采用先进的沟槽技术和单片集成肖特基二极管，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 集成肖特基二极管（SRFET）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器