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RSE80R850D
1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
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- 描述
- 超结MOS，高浪涌要求LED驱动、适配器（印度市场等），设备电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RSE80R850D
- 商品编号
- C7465272
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9588克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 740mΩ@10V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 66W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF@500V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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