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RS65R190T
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 超结MOS，LED驱动，适配器，基站电源，电瓶车充电器，电瓶车换电柜，PC电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS65R190T
- 商品编号
- C7465268
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8597克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 134W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
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