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RSU4N60F
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- 超结MOS，LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RSU4N60F
- 商品编号
- C7465266
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个50个/管
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