RS2301E
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 低压MOS-Trench,控制板,电子开关,保护板,电子烟
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS2301E
- 商品编号
- C7465258
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 7N65L 是一款高压功率 MOSFET,具备快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩特性等优良性能。该功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关
