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RS40N120D
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 低压MOS-SGT，同步整流，逆变器，电机控制，金牌电源，服务器电源，工业电源，无人机，PD快充，无线充，LED驱动电源，储能BMS
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS40N120D
- 商品编号
- C7465259
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.789474克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关