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KNB2706A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）@VGS = 10 V。 极低导通电阻RDS(ON)。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNB2706A
- 商品编号
- C7465110
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 730pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 电源管理
- 负载开关