温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KNB2706A
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）@VGS = 10 V。 极低导通电阻RDS(ON)。 高耐用性。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNB2706A
- 商品编号
- C7465110
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 730pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 60V、3A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 120 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理