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KPD6610B
100V 15A
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- 描述
- 先进沟槽MOS技术。100%保证EAS。可靠且耐用。有环保器件可供选择
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KPD6610B
- 商品编号
- C7465121
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
先进沟槽MOS技术 100%保证耐雪崩能力 可靠且耐用 提供环保器件
商品特性
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) = 170 mΩ（典型值）
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 190 mΩ（典型值）
应用领域
- 电源管理
- 直流电机控制