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KCT1808A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)，典型值为1.25mΩ（VGS = 10V时）。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCT1808A
- 商品编号
- C7465112
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.022nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.303nF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 18N25是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用UTC先进的平面条纹和DMOS技术，性能卓越。 该技术可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，能实现极低的导通电阻和高开关速度。 该器件通常应用于有源功率因数校正和高效开关模式电源。
商品特性
- RDS(ON) < 0.24Ω（VGS = 10 V，ID = 9.0 A）
- 高开关速度
应用领域
- 有源功率因数校正-高效开关模式电源