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KPS6110B
P沟道MOSFET，采用先进沟槽MOS技术，可靠耐用，有绿色环保版本，适用于电源管理和直流电机控制
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KPS6110B
- 商品编号
- C7465120
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
先进沟槽MOS技术 可靠且耐用 提供绿色环保器件
商品特性
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) = 170 mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 190 mΩ(典型值)
应用领域
- 电源管理
- 直流电机控制