NCE3415-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE3415-VB
- 商品编号
- C7463521
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
近期成交0单
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