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NCE0130KA-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0130KA-VB
- 商品编号
- C7463511
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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