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XCH2302
N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on) @ VGS = 5V。 5V逻辑电平控制。 N沟道。 SOT23封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。 充电器，快速开关
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCH2302
- 商品编号
- C7441427
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
60N02D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 60N02D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = 5V时具有低导通电阻RDS(on)
- 5V逻辑电平控制
- N沟道SOT23封装
- 无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 直流风扇
- 充电器、快速开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化,如H桥、逆变器、汽车充电器等