温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XCH60N03D
N沟道快速开关MOSFET，具备低栅极电荷和高单元密度沟槽技术
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NMOS,VDS(V):30,ID(A):60,RDS(ON)(mΩ) Typ.:4.7,PDFN3333
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCH60N03D
- 商品编号
- C7441545
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
XCH60N03D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合 RoHS 和 Green 产品要求，100%保证 EAS（能量雪崩耐量），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证 EAS
- 有绿色环保器件可选
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术