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XCH2312A
N沟道快速开关MOSFET，超低栅极电荷，先进高单元密度沟槽技术
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- 描述
- NMOS,VDS(V):20,ID(A):5.2,RDS(ON)(mΩ) Typ.:21,SOT23
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCH2312A
- 商品编号
- C7441431
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 358pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
X CH2312A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。该产品符合 RoHS 标准和 GreenX CH2312A 产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术