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XCH3416
N沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷和先进高单元密度沟槽技术
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- 描述
- NMOS,VDS(V):20,ID(A):6.0,RDS(ON)(mΩ) Typ.:17,SOT23
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- XCH3416
- 商品编号
- C7441436
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 545nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
XCH 3416 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。XCH 3416 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。静电放电（ESD）等级为 2000V 人体模型（HBM）。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术