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STFW3N150F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STFW3N150F

1个N沟道 耐压:1500V 电流:3A

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描述
特性:3A,1500V,RDS(on)典型值 = 5Ω(VGS = 10V,Id = 1.5A时)。 低栅极电荷(典型值37nC)。 低反向传输电容(典型值2.8pF)。 快速开关。 100%雪崩测试
商品型号
STFW3N150F
商品编号
C7432797
商品封装
TO-3PF​
包装方式
管装
商品毛重
7.176667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V,1.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)32W
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)1.938nF@25V
反向传输电容(Crss)2.8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS (on)
  • 电压控制小信号开关
  • 坚固可靠
  • 高饱和电流能力
  • 栅极具备2KV人体模型(HBM)静电防护

应用领域

  • 便携式设备负载开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF