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IR2127STRPBF-JSM

300V带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片

描述: IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: IR2127STRPBF-JSM
商品编号: C7432818
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1035克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	300mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	80ns
	下降时间(tf)	40ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	60uA
	功能特性	过流保护

商品概述

IR2127S是一款集成了过流检测功能的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。该芯片采用高低压兼容工艺，实现了高侧栅极驱动电路的单芯片集成。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。芯片内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，会关断输出，并从一个漏极开路FAULT引脚输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道的最高工作电压可达250V。IR2127S采用SOIC8封装，工作温度范围为-40℃~125℃。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压范围从12V到20V
集成欠压锁定电路，欠压阈值为9V/10.3V
芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
宽温度范围：-40℃~125℃
Fault引脚故障输出
符合RoHS标准

应用领域

电机控制和驱动
机器人技术
电动汽车
快速充电

数据手册PDF

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