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NCE60P50K-VB
1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE60P50K-VB
- 商品编号
- C7429076
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.95nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 305pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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