NCE40P13S-VB
1个P沟道 耐压:40V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8;P—Channel沟道,-40V;-16.1A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.2~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE40P13S-VB
- 商品编号
- C7429073
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.007nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
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