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NCE0103M-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块。SOT89-3；N—Channel沟道,100V；4.2A；RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0103M-VB
- 商品编号
- C7429066
- 商品封装
- SOT89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1861克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 196pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 14pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1000个/圆盘
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