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FDG6335N-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDG6335N-VB
- 商品编号
- C7428963
- 商品封装
- SC70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 薄型通孔
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC