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MEM2301XG
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- P沟道,-20V,-2.8A,93mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2301XG
- 商品编号
- C82937
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 580mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
MEM2301XG系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用，能以极小外形尺寸的表面贴装封装实现低功耗。
商品特性
- -20V/-2.8A
- 当VGS = -4.5V、ID = -2.8A时,RDS(ON) = 93mΩ
- 当VGS = -2.5V、ID = -2A时,RDS(ON) = 113mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 超小型表面贴装封装:SOT23
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护
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