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TM05P03HI
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A
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- 描述
- P沟道,-30V,-4.6A,40mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM05P03HI
- 商品编号
- C7422779
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 漏源击穿电压（VDSS） = -30 V
- 漏极电流（ ID） = -1.9 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 190 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 330 mΩ
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS