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TM06G06S

1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:-

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私有库下单最高享92折
描述
N沟道,60V,6A,30mΩ@10v,P沟道,-60V,-5A,70mΩ@-10v
品牌名称
TMC(台懋)
商品型号
TM06G06S
商品编号
C7422784
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1588克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V;36mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.248nF
反向传输电容(Crss)49.4pF
工作温度-
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)58.5pF

商品概述

  • 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤素

商品特性

  • N沟道:VDS = 60V,ID = 6A
  • N沟道:在VGS = 10V时,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)
  • P沟道:VDS = -60V,ID = -5A
  • P沟道:在VGS = -10V时,RDS(ON) = 70mΩ(典型值)
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
  • 100%进行了栅极电阻测试

应用领域

-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)

数据手册PDF