TM08G04RS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = 20V，ID = 5.0A
- RDS(ON) = 22mΩ（典型值），栅源电压VGS = 4.5V
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
- 绿色环保产品
- 丝印标记：2300
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)