商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- VDS = 20V，ID = 5.0A
- RDS(ON) = 22mΩ（典型值），栅源电压VGS = 4.5V
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了栅极电阻测试
- 绿色环保产品
- 丝印标记：2300
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)