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TM07N03I
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.6A
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- 描述
- N沟道,30V,6.6A,23mΩ@10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM07N03I
- 商品编号
- C7422792
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 602pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
-低漏源导通电阻(RDS(ON))-符合 RoHS 标准且无卤素
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 6.6 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 23 mΩ（典型值）
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)