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G2060
三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- 250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- G2060
- 商品编号
- C7421051
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 230uA |
商品概述
G2060是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2060为TSSOP20封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +250V
- 兼容3.3 /5V输入逻辑
- dV_S/dt耐受能力可达±50 V/ns
- Vs负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压范围8V至20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值7.1V
- 高侧欠压锁定负向阈值6.9V
- 低侧欠压锁定正向阈值7V
- 低侧欠压锁定负向阈值6.6V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围 -40~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
- 符合RoSH标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动