温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG2005
集成自举的单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2005
- 商品编号
- C7421054
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
商品概述
NSG2005是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺，使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具备大电流脉冲能力。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2005采用SOP8封装，工作温度范围为-40℃ ~ 125℃。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围：10V至20V
- 集成欠压锁定电路，正向阈值8.9V，负向阈值8.2V
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns，延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围：-40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力：290mA/800mA
- 符合RoSH标准，采用SOP8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动