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NSG2184
大电流、高低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- 700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2184
- 商品编号
- C7421059
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 150uA |
商品概述
NSG2184 是高压、高速功率MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达600V。可用于驱动N 沟道高压功率MOSFET/IGBT 等器件。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压为700V
- 兼容3.3V、5V 和15V 输入逻辑
- dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec
- Vs 负压耐受能力达 -9V
- 栅极驱动电压：10V 到20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 防直通死区逻辑
- 内置400ns 死区时间
- 芯片开通/关断传输延时
- Ton/Toff = 530ns/130ns
- 高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：
- 拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
- 符合RoSH 标准
- SOIC8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动程序