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NSG2304
单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2304
- 商品编号
- C7421065
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
商品概述
NSG2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOIC8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+700V
- 兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
- dV_S/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 集成VCC欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns
- 延迟匹配时间50ns
- 防止直通保护
- 死区时间100ns
- 宽温度范围-40°C~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力300mA/600mA
- 符合RoSH标准
- SOIC8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调
- 洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动
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