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NSG2181
高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片
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- 描述
- 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2181
- 商品编号
- C7421058
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 150uA |
商品概述
NSG2181 是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT 高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N 沟道高压功率MOSFET/IGBT 等器件。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压为700V
- 兼容3.3V, 5V 和15V 输入逻辑
- dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec
- Vs 负压耐受能力达-9V
- 栅极驱动电压：10V到20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 芯片开通/关断传输延时
- Ton/Toff =130ns/130ns
- 高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：
- 拉电流/灌电流=1.9A/2.3A
- 符合RoSH 标准
- SOIC8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动程序