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CEM9926A
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- N沟道,20V,6A,27mΩ@4.5V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEM9926A
- 商品编号
- C82424
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 40mΩ
- 20V、6A，在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 27mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装