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CED6426
停产 1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
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- 描述
- 特性：60V, 16A。 RDS(ON) = 66mΩ @ VDS = 10V。 RDS(ON) = 85mΩ @ VDS = 4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 TO-251 & TO-252封装
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CED6426
- 商品编号
- C83037
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 60V、16A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 66 mΩ
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 85 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- TO-251和TO-252封装