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CEM3083
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 特性：30V，-13A。 RDS(ON) = 10mΩ（VGS = -10V时），RDS(ON) = 15.5mΩ（VGS = -4.5V时）。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 高功率和大电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEM3083
- 商品编号
- C83039
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.9nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 15.5 mΩ
- -30V、-13A，在VGS = -10V时，RDS(ON) = 10 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
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