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CEU12N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:11A
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- 描述
- N沟道,100V,11A,180mΩ@10V
- 品牌名称
- CET(华瑞)
- 商品型号
- CEU12N10
- 商品编号
- C82430
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V |
商品特性
- 100V、11A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 180 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- TO-251和TO-252封装