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IXTP1N100

IXTP1N100

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商品型号
IXTP1N100
商品编号
C7291014
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)54W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

商品特性

  • 国际标准封装
  • 采用高压、低 R\textDS(on) HDMOSTTM 工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 快速开关时间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-反激式逆变器-直流斩波器-高频匹配

数据手册PDF