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IXFK52N100X
X-Class 1000V N沟道增强型功率MOSFET HiPerFET
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- 描述
- 特性：国际标准封装。低栅极电荷（QG）。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- IXFK52N100X
- 商品编号
- C7290920
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 245nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.725nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
-国际标准封装-低栅极电荷(QG)-雪崩额定值-低封装电感-高功率密度-易于安装-节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制