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IRF9530SPBF实物图
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IRF9530SPBF

1个P沟道 耐压:100V 电流:8.2A

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描述
第三代功率 MOSFET 提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK(TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达 HEX-4 的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其低内部连接电阻,D2PAK(TO-263)适用于大电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达 2.0 W 的功率。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF9530SPBF
商品编号
C7290277
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
3.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.2A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V,7.2A
耗散功率(Pd)3.7W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)860pF
反向传输电容(Crss)93pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)340pF

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起订量:1 个50个/管

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