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IRF9530SPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:8.2A
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- 描述
- 第三代功率 MOSFET 提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK（TO-263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达 HEX-4 的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其低内部连接电阻，D2PAK（TO-263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达 2.0 W 的功率。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9530SPBF
- 商品编号
- C7290277
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管，可用于功率因数校正（PFC）和零电压开关（ZVS）移相全桥及 LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 表面贴装,提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- P沟道重复雪崩额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器