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IRL530STRRPBF实物图
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IRL530STRRPBF

1个N沟道 耐压:100V 电流:15A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRL530STRRPBF
商品编号
C7290305
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@5V
耗散功率(Pd)3.7W;88W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)28nC@5V
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)57pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D2PAK(TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK(TO-263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

  • 表面贴装,提供卷带包装
  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 在VGS = 4 V和5 V下规定RDS(on)
  • 工作温度175 °C

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的 PFC 级和 PWM 级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。

数据手册PDF