IRLR110TRPBF-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLR110TRPBF-BE3
- 商品编号
- C7290309
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 具备非钳位感性开关（UIS）额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 快速本征二极管
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
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