IRLR110TRPBF-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLR110TRPBF-BE3
- 商品编号
- C7290309
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK 专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本(IRLU、SiHLU 系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达 1.5 W。
商品特性
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装(IRLR110、SiHLR110)
- 直引脚(IRLU110、SiHLU110)
- 提供卷带包装
- 逻辑电平栅极驱动
- 在 VGS = 4 V 和 5 V 时规定 RDS(on)
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