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IRLI630GPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:6.2A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRLI630GPBF
商品编号: C7290307
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2 W的功率。

商品特性

隔离封装
高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
快速开关
易于并联

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	400mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	35W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	40nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.1nF
	反向传输电容(Crss)	70pF
	工作温度	-55℃~+150℃