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IRF9Z34SPBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9Z34SPBF
- 商品编号
- C7290283
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个50个/管
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