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DMN10H170SVT-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H170SVT-13
- 商品编号
- C7264612
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.167nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 20000 个)个
起订量：20000 个10000个/圆盘
总价金额：
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