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DMN10H170SVT-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H170SVT-13
- 商品编号
- C7264612
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.167nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
6080D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 极低的RDS(on)：典型值RDS(on) = 7.0mΩ（VGS = 10 V，Id = 40 A时）
- 低栅极电荷（典型值75 nC）
- 快速开关
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等