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DMN2310UW-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2310UW-7
- 商品编号
- C7264627
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0266克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏极电流（ID） = 287 A，温度（TC） = 25 °C
- ThunderFET功率MOSFET
- 降低开关和传导损耗
- 最高结温175 °C
- 获UL认证，档案编号E78996
应用领域
- DC/DC转换
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电源
- 不间断电源
- AC/DC开关电源
- 太阳能微型逆变器