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DMN2310UTQ-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2310UTQ-13
- 商品编号
- C7264625
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
8013是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-超小表面贴装封装-静电放电保护栅极-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑的“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-负载开关-电源管理功能