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BSC010N04LS6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:285A
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- 描述
- 特性：针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。 额定温度为 175℃
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC010N04LS6ATMA1
- 商品编号
- C7220836
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 285A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低，提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 针对同步应用进行优化
- 极低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
- 额定温度175 °C