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BSP316PH6327XTSA1
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.68A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。逻辑电平。dv/dt额定。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据AEC Q101标准认证。根据IEC 61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP316PH6327XTSA1
- 商品编号
- C7222937
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,0.68A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 146pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用而设计。
应用领域
- 电源-转换器-动力电机控制-桥接电路